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J-GLOBAL ID:200903051661142846
プローブ装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006314568
Publication number (International publication number):2008128838
Application date: Nov. 21, 2006
Publication date: Jun. 05, 2008
Summary:
【課題】本発明は、所定の温度に加熱された半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置に関し、半導体装置の電気的特性を精度よく測定できると共に、小型化を図ることのできるプローブ装置を提供することを課題とする。【解決手段】外部接続用パッドを有する半導体装置20を固定するステージ17と、ステージ17に設けられ、所定の温度TXとなるように半導体装置20を加熱する加熱手段18と、プローブピン48及びプローブピン48を支持する支持基板43を有するプローブカード24と、を備えたプローブ装置11であって、支持基板43に、所定の温度TXと略等しくなるようにプローブピン48の配設位置に対応する部分の前支持基板43を加熱する抵抗発熱体27を設けた。【選択図】図3
Claim (excerpt):
外部接続用パッドを有する半導体装置を固定するステージと、
前記ステージに設けられ、所定の温度となるように前記半導体装置を加熱する加熱手段と、
プローブピンと、前記プローブピンを支持する支持基板とを有するプローブカードと、を備え、
前記所定の温度に加熱された前記半導体装置の前記外部接続用パッドと前記プローブピンとを接触させて前記半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置であって、
前記支持基板に、前記所定の温度と略等しくなるように前記プローブピンの配設位置に対応する部分の前記支持基板を加熱する抵抗発熱体を設けたことを特徴とするプローブ装置。
IPC (2):
FI (2):
G01R31/28 K
, H01L21/66 B
F-Term (11):
2G132AB14
, 2G132AF06
, 2G132AF20
, 2G132AL03
, 2G132AL21
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106CA01
, 4M106CA31
, 4M106DD10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
半導体回路の検査方法及び検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-313079
Applicant:日立化成工業株式会社
Cited by examiner (3)
-
プローブカードおよびこれを用いたIC試験装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-158891
Applicant:株式会社アドバンテスト
-
高温測定用プローブカード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-227373
Applicant:日本電子材料株式会社
-
プローブカード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-317952
Applicant:株式会社アドバンテスト
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