強誘電体メモリ素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095422
Publication number (International publication number)：2001284542
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】記録再生に関する耐久性が高く、かつ低消費電力で動作し、かつ高密度集積化に耐え得るることが可能な強誘電体メモリ素子を提供すること。【解決手段】第一の金属層101と第二の金属層102の間に、強誘電体層A103と金属層B104とを交互に積層した超格子構造をはさんでキャパシタを構成する。

Claim (excerpt)：

第一の金属層と第二の金属層の間に、強誘電体層Aと金属層Bとを交互に積層した超格子構造をはさんでキャパシタを構成することを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651

F-Term (12)：

5F083AD21 , 5F083AD60 , 5F083FR01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083JA45 , 5F083PR25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

誘電体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-013251 Applicant：太陽誘電株式会社
ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-293698 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053219 Applicant：株式会社東芝

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