誘電体素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：多田繁範
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998013251
Publication number (International publication number)：1999204745
Application date： Jan. 08, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、誘電体素子に関し、例えばLSI、DRAM、MMIC、FeRAM、マイクロアクチュエータに適用して、高誘電率で、均質かつ安定な誘電体膜による誘電体素子を提供する。【解決手段】電極層により誘電体層を挟み込み、このときペロブスカイト構造化合物による誘電体層に格子定数の異なる電極層を格子整合させる。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト構造化合物の誘電体膜を間に挟んで、前記誘電体膜と格子定数の異なる電極が配置され、前記電極と、前記誘電体膜のペロブスカイト構造化合物とが格子整合してなることを特徴とする誘電体素子。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 , H01G 4/33 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01G 4/06 102 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

酸化物積層構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158521 Applicant：ソニー株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-131516 Applicant：株式会社東芝
薄膜キャパシタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-003633 Applicant：日本電気株式会社

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