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J-GLOBAL ID：200903051894922698

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ

Inventor： 布上 真也 ,  山本 雅裕 ,  波多腰 玄一 ,  鈴木 真理子 ,  菅原 秀人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998076790
Publication number (International publication number)：1999274603
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、基本横モードで連続発振することができ、光ディスクシステム等の光源に適した非点収差のない良質の出射ビームを得ることのできるInGaAlBAsP系半導体レーザを提供することにある。【解決手段】 本発明は、活性層よりバンドギャップエネルギーの小さい光閉じ込め層を設け、その損失導波効果によって横モードを制御することにより、動作電圧が低くかつ基本モードでの連続発振を可能とする事にある。光閉込め層が第1導電型のIn<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> As<SB>v</SB> P<SB>1-u-v</SB> とIn<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> Al<SB>c</SB> B<SB>1-a-b-c-</SB>N<SB>d</SB> As<SB>e</SB> P<SB>1-d-e</SB> の(X≧活性層の平均In組成,0≦a<X)の多層膜より構成され、In<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> AsP<SB>1-u-v</SB> でX≧0.15であるとともに、光閉じ込め層の第1導電型のIn<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> As<SB>v</SB> P<SB>1-u-v</SB> 層の一層の厚さが0.3μm以下であることを特徴とする半導体レーザを提供する。

Claim (excerpt)：

窒素を含むIII-V族化合物半導体からなり、第1導電型のクラッド層とストライプ状のリッジを有する第2導電型のクラッド層で活性層を挟んだダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の第2導電型クラッド層側に接して少なくとも前記リッジ部以外の領域に形成された第1導電型の光閉込め層とを備えた半導体レーザであって、前記光閉じ込め層が第1導電型のIn<SB>X</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> As<SB>v</SB> P<SB>1-u-v</SB> とIn<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> Al<SB>c</SB> B<SB>1-a-b-c</SB> N<SB>d</SB> As<SB>e</SB> P<SB>1-d-e</SB> (X≧活性層の平均In組成,0≦a<X)の異なる材料の多層膜で構成したことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/00 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/00 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-129910   Applicant：サンケン電気株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-021449   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039646   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053428   Applicant：日亜化学工業株式会社