Pat
J-GLOBAL ID:200903051911838302
基板処理方法および装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
間宮 武雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000296342
Publication number (International publication number):2002110605
Application date: Sep. 28, 2000
Publication date: Apr. 12, 2002
Summary:
【要約】【課題】 オゾン水による基板の処理時間を短くし、スループットを高くできる装置を提供する。【解決手段】 低温で高溶存オゾン濃度のオゾン水を収容しそのオゾン水中に基板Wが浸漬させられて処理されるオゾン処理槽12と、高温に加熱された温純水を収容しその温純水中に基板が浸漬させられて加熱される温純水槽48と、温純水槽48とオゾン処理槽12との相互間で基板を搬送する基板搬送手段とを備えた。
Claim (excerpt):
オゾンが溶解したオゾン水中に基板を浸漬させて処理する基板処理方法において、基板を加熱する基板加熱工程と、加熱された基板をオゾン水中に浸漬させて処理する基板処理工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (8):
H01L 21/304 641
, H01L 21/304 642
, H01L 21/304 647
, H01L 21/304 648
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/027
, H01L 21/306
FI (8):
H01L 21/304 641
, H01L 21/304 642 B
, H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 648 K
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1333 500
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/306 A
F-Term (15):
2H088FA21
, 2H088FA24
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H090JC06
, 2H090JC08
, 2H090JC19
, 5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043CC16
, 5F043DD07
, 5F043DD30
, 5F046MA02
, 5F046MA03
, 5F046MA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
半導体ウエハのオゾン水洗浄システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-226058
Applicant:沖電気工業株式会社
-
フォトレジスト膜除去方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-323503
Applicant:三菱電機株式会社
-
基板処理方法及び基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-179286
Applicant:ソニー株式会社
-
基板処理方法および基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-002474
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
-
半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-209144
Applicant:日本電気株式会社
Show all
Return to Previous Page