Pat
J-GLOBAL ID:200903096951918906
半導体ウエハのオゾン水洗浄システム
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
清水 守 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998226058
Publication number (International publication number):2000058496
Application date: Aug. 10, 1998
Publication date: Feb. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体ウエハからのレジストの除去時間が短縮され、効率的な洗浄を行なうことができる半導体ウエハのオゾン水洗浄システムを提供する。【解決手段】 半導体ウエハのオゾン水洗浄システムにおいて、洗浄槽2とオゾン水生成装置6の間のオゾン水供給ライン4上にオゾン水を昇温するためのヒータ5を設ける。
Claim (excerpt):
半導体ウエハのオゾン水洗浄システムにおいて、洗浄槽とオゾン水生成装置の間のオゾン水供給ライン上にオゾン水を昇温するためのヒータを設けるようにしたことを特徴とする半導体ウエハのオゾン水洗浄システム。
IPC (3):
H01L 21/304 648
, H01L 21/304 642
, B08B 3/08
FI (3):
H01L 21/304 648 G
, H01L 21/304 642 E
, B08B 3/08 Z
F-Term (10):
3B201AA02
, 3B201AB02
, 3B201BB03
, 3B201BB82
, 3B201BB85
, 3B201BB88
, 3B201BB93
, 3B201BB96
, 3B201BB98
, 3B201CB12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開平4-146616
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洗浄方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-078556
Applicant:株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
-
特開平2-164035
-
半導体基板の洗浄装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-283562
Applicant:住友シチックス株式会社
-
液体の温度調節方法及び液体の温度調節装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-267262
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-504711
Applicant:レガシーシステムズインコーポレイテッド
-
有機物の除去方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-207918
Applicant:クロリンエンジニアズ株式会社
-
白金系パイプ構造体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-207113
Applicant:田中貴金属工業株式会社, 栗田工業株式会社
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