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J-GLOBAL ID：200903051926750924

ホットワイヤCVD法による窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法

Inventor：
安井 寛治

About 安井 寛治

, 
赤羽 正志

About 赤羽 正志


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002262066
Publication number (International publication number)：2004103745
Application date： Sep. 06, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】Siに次いで安価に大量に出回っている半導体結晶基板であるGaAs基板は、電子・光素子をワンチップ上に製造できる利点があり、青紫発光素子や大電力用電子デバイスなどその産業上の利用分野を拡大するためにGaAs基板上へのGaN,InN,AlNなどの窒化物半導体膜のエピタキシャル成長技術の開発が課題となっている。【構成】ガリウム砒素(GaAs)基板を洗浄して表面酸化物を除去後にホットワイヤCVD装置のチャンバー内にアンモニアガスを供給し、ホットワイヤによるアンモニアガスの熱分解により該基板表面を窒化して窒化ガリウム(GaN)バッファ層を形成し、次いで、該チャンバー内に窒化物半導体膜形成用ガスを供給して、ホットワイヤによる該膜形成用ガスの熱分解により該GaNバッファ層上に窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とするホットワイヤを用いた窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ガリウム砒素(GaAs)基板を洗浄して表面酸化物を除去後にホットワイヤCVD装置のチャンバー内にアンモニアガスを供給し、ホットワイヤによるアンモニアガスの熱分解により該基板表面を窒化して窒化ガリウム(GaN)バッファ層を形成し、次いで、該チャンバー内に窒化物半導体膜形成用ガスを供給して、ホットワイヤによる該膜形成用ガスの熱分解により該GaNバッファ層上に窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させることを特徴とするホットワイヤを用いた窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法。
IPC (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452
FI (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452
F-Term (21)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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