III族或いはIII-V族窒化物層の成長方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998359744
Publication number (International publication number)：1999265854
Application date： Dec. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】適切な半導体基板上にIII族或いはIII-V族窒化物層を成長するための改善された方法を提供する。【解決手段】半導体基板の上へIII族或いはIII-V族窒化物層を成長させる方法が、窒素に対して高い反応性を示す物質を含むIII-V族半導体層をその表面上に有する半導体基板をチャンバ内に配置する工程と、引き続いて、窒素を含有する種を該チャンバ内に導入して該窒素と該物質とを反応させることにより、該III-V族半導体層を窒化する工程と、を包含する。キシャル層の質を向上することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上へIII族或いはIII-V族窒化物層を成長させる方法であって、窒素に対して高い反応性を示す物質を含むIII-V族半導体層をその表面上に有する半導体基板をチャンバ内に配置する工程と、引き続いて、窒素を含有する種を該チャンバ内に導入して該窒素と該物質とを反応させることにより、該III-V族半導体層を窒化する工程と、を包含する、方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , H01L 21/203 , H01L 33/00 , H01S 3/18 673

FI (4)：

H01L 21/205 , H01L 21/203 M , H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (13)

窒化ガリウムの結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-065644 Applicant：日本電気株式会社
分布ブラッグ反射ミラー多層膜を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281960 Applicant：三菱化学株式会社
半導体製造装置および半導体製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-106922 Applicant：三菱化学株式会社

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