発光素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：グローバル・アイピー東京特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007123894
Publication number (International publication number)：2007305998
Application date： May. 08, 2007
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：

【課題】発光素子への光抽出構造の導入において、電気的特性を保ちながら光抽出効率を改善することができ、光結晶構造と共にに用いられ、最適な光抽出効率を有する発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体層と、前記半導体層上に位置し、前記半導体層と同一の屈折率または前記半導体層より大きい屈折率の物質で形成される光抽出層と、を含んで発光素子を構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層と、前記半導体層上に位置し、前記半導体層と同一の屈折率または前記半導体層より大きい屈折率の物質で形成される光抽出層と、を含んで構成されることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S5/323 , H01L33/00 C

F-Term (7)：

5F041AA11 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F173AA29 , 5F173AH40 , 5F173AH48 , 5F173AP33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-120576 Applicant：シャープ株式会社
内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-542397 Applicant：クリーインコーポレイテッド
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-366803 Applicant：株式会社東芝

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