光結晶発光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005118867
Publication number (International publication number)：2005317959
Application date： Mar. 18, 2005
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】光結晶構造を含む半導体発光装置を提供する。【解決手段】 n型領域及びp型領域間に挟まれた活性領域を含むIII族窒化物半導体構造のn型領域に形成された光結晶構造。反射体は、活性領域と反対側のp型領域の表面上に形成される。いくつかの実施形態では、n型領域と、活性領域と、p型領域とが成長する成長基板は、装置のn型領域に光結晶を形成することを容易にし、光結晶の下にあるp型領域の表面上に反射体を形成することを容易にするために除去される。光結晶及び反射体は、活性領域によって放射された光の制御を可能にすることができる共振空洞を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

n型及びp型領域間に配置された活性領域を含むIII族窒化物半導体構造と、前記n型領域の少なくとも一部分に形成された光結晶構造と、前記活性領域の反対側の前記p型領域の表面の少なくとも一部分上に配置された反射体と、を含むことを特徴とする発光装置。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (11)：

5F041CA04 , 5F041CA33 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F041CB11 , 5F041CB15 , 5F041CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第5,955,749号
米国特許出願出願番号第10/059,588号

Cited by examiner (5)

大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-168636 Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-120576 Applicant：シャープ株式会社
発光ダイオードチップ、その台座、及び発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-173902 Applicant：日立電線株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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