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J-GLOBAL ID：200903083473813163

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 小出 典克 ,  幡 俊雄 ,  筆田 麻祐子 ,  木村 大覚
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002120576
Publication number (International publication number)：2003318443
Application date： Apr. 23, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 光の外部取り出し効率を向上させ、かつ素子の駆動電圧を低減させることのできる窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 支持基板上に形成された反射層と反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、上記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されている窒化物系半導体発光素子およびその製造方法であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

F-Term (31)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-168690   Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク
• 光半導体チップおよび光半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-332727   Applicant：ローム株式会社
• 発光素子および発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-153499   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-272286   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-307430   Applicant：日立電線株式会社