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J-GLOBAL ID：200903052046691674

n型窒化物半導体の成長方法

Inventor： 長濱 慎一 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995305279
Publication number (International publication number)：1997148247
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザダイオード(LD)を作製するにあたり、Alを含む窒化物半導体層よりなるn型クラッド層を膜質良く、厚膜で成長できる方法を提供する。【構成】 少なくともAlを含むn型窒化物半導体、若しくはn型GaNよりなる第一のn型層の上に、少なくともInを含むn型窒化物半導体よりなる第二のn型層を成長させ、第二のn型層の上に少なくともAlを含むn型窒化物半導体よりなる第三のn型層を成長させることにより、第三のn型層にクラックが入らず厚膜で成長できる。

Claim (excerpt)：

少なくともAlを含むn型窒化物半導体、若しくはn型GaNよりなる第一のn型層の上に、少なくともInを含むn型窒化物半導体よりなる第二のn型層を成長させ、第二のn型層の上に少なくともAlを含むn型窒化物半導体よりなる第三のn型層を成長させることを特徴とするn型窒化物半導体の成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• p型窒化ガリウムの成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-042125   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-025068   Applicant：株式会社日立製作所