絶縁膜の製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：和泉良彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002023077
Publication number (International publication number)：2003224117
Application date： Jan. 31, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】光透過窓による光の減少を低減し、処理基板を大型化できると共に、酸化速度を向上できる絶縁膜の製造装置を提供する。【解決手段】少なくとも酸素を含むN2+O2混合ガス10中に、キセノンエキシマランプ1からの光を照射することにより形成した酸素原子活性種を用いて、基板6の半導体表面を酸化して該表面に絶縁膜を形成する絶縁膜の製造装置において、キセノンエキシマランプ1からの光を吸収しない窒素ガス3で大気圧に封入された光源部2の雰囲気の圧力と、基板6の表面部のN2+O2混合ガス10の雰囲気の圧力とをほぼ等しく保つガス導入口8およびガス排出口9を有する。

Claim (excerpt)：

少なくとも酸素を含む雰囲気中に、光源からの光を照射することにより形成した酸素原子活性種を用いて、半導体表面を酸化して前記半導体表面に絶縁膜を形成する絶縁膜の製造装置において、前記光源部の雰囲気の圧力と、前記半導体表面部の雰囲気の圧力とをほぼ等しく保つ手段を有することを特徴とする絶縁膜の製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/31 A , H01L 21/316 A , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 301 G

F-Term (78)：

5F045AA11 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB09 , 5F045CA15 , 5F045DP05 , 5F045DQ15 , 5F045EB02 , 5F045EB09 , 5F045EC03 , 5F045EF02 , 5F045EF20 , 5F045EK13 , 5F045EK19 , 5F045GB06 , 5F045HA08 , 5F045HA25 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BF62 , 5F058BF78 , 5F058BJ10 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ25 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BG30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-295121
特開平4-043642
非晶質半導体膜およびこれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-144860 Applicant：株式会社東芝

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