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J-GLOBAL ID：200903052115506442

窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体発光素子

Inventor：
吉田 丈洋

About 吉田 丈洋


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (7)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岡本 芳明 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006164573
Publication number (International publication number)：2007331973
Application date： Jun. 14, 2006
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：
【課題】発光デバイス構造を形成した場合に、発光波長、発光出力、素子寿命等のばらつきが小さく、発光デバイスの歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体自立基板及び当該基板を用いた窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体結晶の格子定数のばらつきを±12ppm以下として窒化物半導体自立基板を形成する。窒化物系化合物半導体は、AlxInyGa1-x-yN(0≦x+y≦1)で表される。これを用いて窒化物半導体発光素子を形成する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
格子定数のばらつきが±12ppm以下である自立した窒化物系化合物半導体結晶からなることを特徴とする窒化物半導体自立基板。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
F-Term (28)：
4G077AA02 ,  4G077AB07 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AA07 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045HA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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