磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002325124
Publication number (International publication number)：2004158766
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】R-Hカーブのシフトを極力低減して、書き込み電流のアンバランスによる消費電力増大や非選択セルの誤書き込みを解決できる、二重接合TMR素子構造の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の磁化固着層と、第1のトンネルバリア層と、第1の強磁性層、非磁性層および第2の強磁性層を含む磁化自由層と、第2のトンネルバリア層と、第2の磁化固着層とを有し、第1および第2の磁化固着層の磁化の向きが互いに反対向きであり、第1の強磁性層と前記第2の強磁性層とが非磁性層を介して反強磁性結合し、第1および第2の強磁性層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、第1および第2の磁化固着層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、磁化の大きい磁化固着層は第1および第2の強磁性層のうち磁化の小さい強磁性層に近い側に形成されている磁気抵抗効果素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の磁化固着層と、第1のトンネルバリア層と、第1の強磁性層、非磁性層および第2の強磁性層を含む磁化自由層と、第2のトンネルバリア層と、第2の磁化固着層とを有し、前記第1および第2の磁化固着層の磁化の向きが互いに反対向きであり、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層とが前記非磁性層を介して反強磁性結合し、前記第1および第2の強磁性層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、前記第1および第2の磁化固着層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、磁化の大きい磁化固着層は前記第1および第2の強磁性層のうち磁化の小さい強磁性層に近い側に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L43/08 , H01L27/105

FI (2)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA15 , 5F083JA02 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-069992 Applicant：シャープ株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-322041 Applicant：株式会社東芝

Show all

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-069992 Applicant：シャープ株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-322041 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page