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J-GLOBAL ID：200903052324853605

ホウ素をドープした同位体ダイヤモンド及びその製造方法

Inventor： 中村 和郎 ,  堀内 賢治 ,  山下 敏 ,  片岡 加寿弘
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社 ,  東京ガスケミカル株式会社
Agent (1)： 加茂 裕邦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997344037
Publication number (International publication number)：1999100297
Application date： Nov. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】ホウ素をドープしてなり且つきわめて高い熱伝導性を有する12C又は13C同位体ダイヤモンドを得る。【解決手段】ホウ素をドープした高熱伝導性の12C又は13C同位体ダイヤモンド及びその製造方法。該同位体ダイヤモンドの12C又は13C同位体の純度は、好ましくは少なくとも99.5%以上である。

Claim (excerpt)：

ホウ素をドープした高熱伝導率の同位体的に純化した12C又は13C同位体ダイヤモンド。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06

FI (2)：

C30B 29/04 W ,  C01B 31/06 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 純粋な同位体から成るCVDダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-087296   Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• IIb型ダイヤモンド単結晶の育成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-011117   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-108532
  
• ダイヤモンド基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218408   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-108532