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J-GLOBAL ID:200903052349358706

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000092803
Publication number (International publication number):2001283942
Application date: Mar. 30, 2000
Publication date: Oct. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 表面積の大きな半導体層を配設することで増感色素の担持量を増やし、その結果、大きな光電流出力を得ることができる光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を形成する半導体粒子が細孔を有し、該半導体粒子はその外表面及び前記細孔内に増感色素を担持している。
Claim (excerpt):
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を形成する半導体粒子は細孔を有し、該半導体粒子はその外表面及び前記細孔内に増感色素を担持していることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (13):
5F051AA14 ,  5F051FA19 ,  5F051HA20 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032CC16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE08 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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