電界効果型トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006041138
Publication number (International publication number)：2006332593
Application date： Feb. 17, 2006
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】ヘテロ構造を含む電界効果型トランジスタでありながらノーマルオフタイプのトランジスタを提供する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体装置は、基板(1)上に順次積層されたバッファ層(2)、第1の窒化物半導体層(3)、および第2の窒化物半導体層(4)を含み、第1の窒化物半導体層の格子定数a1と第2の窒化物半導体層の格子定数a2とがa1>a2の関係にあり、第2の窒化物半導体層上にソース電極(5)とドレイン電極(5)とが形成されかつそれらの電極間の少なくとも一部にピエゾ効果膜(6)が形成されており、そのピエゾ効果膜は第1と第2の窒化物半導体層の格子定数差(a1-a2)に起因して第2の窒化物半導体層に加わる引っ張り応力に比べて同等以上の大きさの圧縮応力を及ぼす。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

格子定数a1およびバンドギャップEg1を有する第1の窒化物半導体層と、その第1窒化物半導体層上に積層されていて格子定数a2およびバンドギャップEg2を有する第2の窒化物半導体層と、その第2窒化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、それらのソース電極およびドレイン電極との間の少なくとも一部の領域において前記第2窒化物半導体層上に形成されたピエゾ効果膜と、そのピエゾ効果膜の少なくとも一部領域上に形成されたゲート電極とを含み、前記格子定数a1とa2との関係がa1>a2であり、前記バンドギャップEg1とEg2との関係がEg1 IPC (4)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B

F-Term (37)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F140AA00 , 5F140AA02 , 5F140AA04 , 5F140AA08 , 5F140AB08 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BC13 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

米国特許第5,192,987号
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-377601 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-196749 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-377601 Applicant：松下電器産業株式会社

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