電界効果トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001223872
Publication number (International publication number)：2003037118
Application date： Jul. 25, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】ナイトライド系化合物半導体電界効果トランジスタのしきい値電圧を制御し、正のしきい値電圧を有し、かつ寄生抵抗の低いトランジスタを実現することにある。【解決手段】半導体多層構造16表面の、ソース電極17とゲート電極110間の領域及びドレイン電極18とゲート電極110間の領域に、圧縮性の応力を伴う絶縁層111及び112を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にバッファ層とチャネル層とスペーサ層とキャリア供給層とショットキー層が順次堆積されることにより半導体多層構造が形成され、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極が該半導体多層構造表面に形成されている電界効果トランジスタにおいて、ソース電極・ゲート電極間の半導体多層構造表面の全面及びドレイン電極・ゲート電極間の半導体多層構造表面の全面を被覆する形状を伴って、圧縮性の応力を伴う絶縁層が形成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

F-Term (19)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR07 , 5F102GR09 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

高電子移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-076736 Applicant：富士通カンタムデバイス株式会社
特開昭61-171170
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-007648 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (5)

高電子移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-076736 Applicant：富士通カンタムデバイス株式会社
特開昭61-171170
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-007648 Applicant：日本電気株式会社

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