電界効果型トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡崎豊野
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003133253
Publication number (International publication number)：2004335960
Application date： May. 12, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】汎用スイッチング電源等に用いられるエンハンスメント型動作のFETとして、高いモビリティーを有するワイドギャップ半導体のAlGaN/GaNへテロ構造FET技術を活用して、動作抵抗の低減により通電損失の低減を図ることができ、特にGaN系FETでの完全な動作を実現する。具体的には、ゲート電圧を0Vとした場合にソース・ドレイン間の電流が流れないエンハンスメント型動作を行える電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】第一の窒素化合物膜からなるAlGaN層3と、該AlGaN層3とは異なる組成を有する第二の窒素化合物膜からなるGaN層2とを形成するヘテロ構造を備えた電界効果型トランジスタであって、上記第一の窒素化合物膜と第二の窒素化合物膜との結晶界面において発生するピエゾ電界効果を相殺させるための応力緩和層としてGaN層4が、さらに一層以上形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第一の窒素化合物膜からなるチャネル層と、該チャネル層とは異なる組成を有する第二の窒素化合物膜からなるバッファ層とを形成するヘテロ構造を備えた電界効果型トランジスタであって、上記第一の窒素化合物膜と第二の窒素化合物膜との結晶界面において発生するピエゾ電界効果を相殺させるための応力緩和層が、さらに一層以上形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/80 H , H01L29/78 618E , H01L29/78 617V

F-Term (37)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL09 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GV05 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG60 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

後面にドナーをドープしたヘテロ構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-500626 Applicant：エルハルドコーン
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-248484 Applicant：株式会社東芝
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-347634 Applicant：日本電気株式会社

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