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J-GLOBAL ID:200903052554497727
電磁波発生装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000226841
Publication number (International publication number):2002043839
Application date: Jul. 27, 2000
Publication date: Feb. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高出力高周波の電磁波発生装置を安価に形成できる技術の提供。【解決手段】 裏面入射型フォトダイオード及びフォトダイオード上伝送路8を形成したフォトダイオードチップ2と、アンテナパタン16及びアンテナチップ上伝送路18を形成した平面アンテナチップ10とを、フォトダイオード上伝送路8とアンテナチップ上伝送路18を向かい合わせて、フリップチップボンディングで接続する。好ましくは、平面アンテナチップ10に窪地パタン28を形成する等で、フォトダイオード上伝送路8の表面とアンテナ基板の表面との間Gに間隙を確保する。また、アンテナチップ裏面にレンズを接続する。
Claim (excerpt):
裏面入射型フォトダイオード及びフォトダイオード上伝送路が形成されたフォトダイオードチップと、平面アンテナ及びアンテナチップ上伝送路が形成された平面アンテナチップとを具備し、前記フォトダイオード上伝送路と前記アンテナチップ上伝送路が向かい合って接続するように、前記フォトダイオードチップをフリップチップボンディングにより前記平面アンテナチップに接続したことを特徴とする電磁波発生装置。
IPC (4):
H01Q 23/00
, H01Q 1/38
, H01Q 9/16
, H01Q 19/06
FI (4):
H01Q 23/00
, H01Q 1/38
, H01Q 9/16
, H01Q 19/06
F-Term (15):
5J020AA02
, 5J020BB01
, 5J020BC13
, 5J020CA01
, 5J020DA02
, 5J021AA01
, 5J021AB06
, 5J021BA03
, 5J021CA06
, 5J021FA02
, 5J021HA05
, 5J021JA07
, 5J046AA04
, 5J046AB13
, 5J046PA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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共平面型スロットアンテナ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-031112
Applicant:山下榮吉, 銭永喜
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-219537
Applicant:住友電気工業株式会社
-
光システム及びこれによる対象物調査方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-243654
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
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半導体装置、その製造方法および部品の実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-275925
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-223071
Applicant:富士通株式会社, 富士通カンタムデバイス株式会社
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