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J-GLOBAL ID：200903021978637526

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 横川 茂
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通カンタムデバイス株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998223071
Publication number (International publication number)：2000058595
Application date： Aug. 06, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高周波信号の損失や反射を抑制したコプレーナ型伝送線路を有する高周波半導体装置を得る。【解決手段】 フリップチップ実装完了後に半導体チップ電極表面と基板電極表面との間隔が11μmから29μmとなるように、半導体チップ表面のコプレーナ型伝送線路と接地電極上にAuバンプが形成されているような高周波半導体装置の構造とその製造方法。

Claim (excerpt)：

コプレーナ伝送線路を有する半導体チップと、前記半導体チップをバンプを用いてフリップチップ実装する基板とを有し、前記半導体チップ上のコプレーナ伝送線路の表面と前記基板上の電極の表面との間隔が、11μmから29μmであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 301 ,  H01P 3/02

FI (3)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 301 C ,  H01P 3/02

F-Term (4)：

4M105AA01 ,  4M105AA16 ,  4M105BB01 ,  4M105FF03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• フェースダウンボンディング半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-218929   Applicant：富士通株式会社
• チップバンプの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-161470   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331980   Applicant：富士通株式会社
• フリップチップ実装構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-046896   Applicant：日本電信電話株式会社
• バンプ形成方法及びバンプ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-034284   Applicant：ソニー株式会社
• 高周波半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-087131   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-298362   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子の実装方法及びそのバンプ電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-123370   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253949   Applicant：日本電装株式会社