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J-GLOBAL ID：200903052592948031

窒化シリコン層のエッチング方法及び半導体装置の製造方法

Inventor：
大島 正志

About 大島 正志


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998042435
Publication number (International publication number)：1998303187
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】窒化シリコン層のエッチング方法に関し、Si及びSiO2に対するエッチング選択比を大きくするとともに、異方性を高くすること。【解決手段】シリコン層又は酸化シリコン層の上に窒化シリコン層を形成する工程と、前記シリコン層又は酸化シリコン層と窒化シリコン層をドライエッチングの雰囲気に置く工程と、CH2 F2 、CH3 F又はCHF3 のいずれかのフッ素系ガスと不活性ガスを前記雰囲気に流すことにより、前記窒化シリコン膜を前記酸化シリコン層又は前記シリコン層に対して選択的にエッチングする工程を含む。
Claim (excerpt)：
基板の上方においてシリコン層又は酸化シリコン層の上に窒化シリコン層を形成する工程と、前記シリコン層又は前記酸化シリコン層と前記窒化シリコン層とをドライエッチングの雰囲気に置く工程と、CH2 F2 、CH3 F又はCHF3 のいずれかのフッ素化合物ガスと不活性ガスを前記雰囲気に流すことにより、前記窒化シリコン層を前記酸化シリコン層又は前記シリコン層に対して選択的にエッチングする工程とを含む窒化シリコン層のエッチング方法。
IPC (6)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (6)：
H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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