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J-GLOBAL ID:200903052667733745

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007052758
Publication number (International publication number):2008096951
Application date: Mar. 02, 2007
Publication date: Apr. 24, 2008
Summary:
【課題】活性光線又は放射線、特に、KrFエキシマレーザー光、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、良好なラインウィズスラフネス、及び良好な疎密依存性を同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】(A)一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。【化1】 式(I)中、ARはアリール基を示す。Rnはアルキル基またはアリール基を示す。Aは水素原子またはアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基から選ばれる基を示す。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (1):
G03F 7/039
FI (1):
G03F7/039 601
F-Term (14):
2H025AA01 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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