絶縁性薄膜の欠陥検出方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：植木久一 , 菅河忠志 , 二口治 , 伊藤浩彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004287983
Publication number (International publication number)：2006098362
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】基板11上の絶縁性薄膜12の微小欠陥18を、確実且つ簡便に検出することのできる絶縁性薄膜の欠陥検出方法を提供することを目的とする。【解決手段】導電性を有する基板11の上に形成された絶縁性薄膜12の欠陥を検出する方法であって、絶縁性薄膜12の表面に導電性溶液14を配し、導電性溶液14と基板11との間の電気抵抗を測定する。導電性溶液14は微少欠陥18内に容易に侵入する。微少欠陥18が存在すると電気抵抗が低く表れるので、微少欠陥18を検知できる。しかも検査後は、導電性溶液14の除去が容易であるから、基板11や絶縁性薄膜12への悪影響の虞も殆どない。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

導電性を有する基板の上に形成された絶縁性薄膜の欠陥を検出する方法において、前記絶縁性薄膜の表面に導電性溶液を配し、該導電性溶液と前記基板との間の電気抵抗を測定することを特徴とする絶縁性薄膜の欠陥検出方法。

IPC (2)：

G01N 27/20 , H01L 21/66

FI (2)：

G01N27/20 Z , H01L21/66 K

F-Term (14)：

2G060AA09 , 2G060AE02 , 2G060AE03 , 2G060AF07 , 2G060AG11 , 2G060EA07 , 2G060EB05 , 2G060EB07 , 2G060KA14 , 4M106AA01 , 4M106AA12 , 4M106BA14 , 4M106CA45 , 4M106DH09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭54-118890号公報
薄膜の欠陥検出方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-351354 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

半導体装置の検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-234659 Applicant：ソニー株式会社
特開昭57-024544
半導体装置の酸化膜の評価方法および評価装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-206834 Applicant：ソニー株式会社

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