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J-GLOBAL ID：200903053019072721
光電面
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997026919
Publication number (International publication number)：1998223131
Application date： Feb. 10, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 225nmより長い波長を有する光に対しても感度がある光電面を提供することを目的とする。【解決手段】 光電面20は、Siからなる基板21と、基板21上に形成され禁制帯に不純物準位を形成するためのBとNがドープされた多結晶ダイヤモンド22と、多結晶ダイヤモンド22の表面の未結合炭素と結合し、多結晶ダイヤモンド22の仕事関数を実効的に低下させる水素の単原子の層23とを有している。この構成によれば、不純物元素が価電子帯と伝導帯とのバンド間に不純物準位を形成するので、多結晶ダイヤモンド22のエネルギギャップに対応した波長よりも長波長の光に可視領域に感度を有するようになる。また、水素の単原子の層23により仕事関数が低下した多結晶ダイヤモンドは大きいエネルギギャップを有しているので、電子親和力が容易に零又は負となる。
Claim (excerpt)：
光の入射により光電子が外部に放出される光電面において、多結晶ダイヤモンド又は多結晶ダイヤモンドを主成分としたものからなるダイヤモンド材料によって構成されると共に、禁制帯中に前記光の入射により電子を伝導帯へ励起する不純物準位を形成する不純物がドープされ、前記光電子が外部に放出される面の電子親和力が零又は負とされていることを特徴とする光電面。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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