ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000132408
Publication number (International publication number)：2001312060
Application date： May. 01, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 3.0μm以上の厚膜条件下で、耐熱性に優れ、酸の発生効率がよいスペースパターンの形成が可能で、幅0.8μm以下の高アスペクト比のスペースパターンを垂直性よく形成することが可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】全フェノール性水酸基の水素原子の一部が1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されているアルカリ可溶性ノボラック樹脂、および酸発生剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

全フェノール性水酸基の水素原子の一部が1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されているアルカリ可溶性ノボラック樹脂、および酸発生剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (7)：

G03F 7/023 511 , C08K 5/16 , C08L 61/14 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 511 , H01L 21/027 , C08G 8/28

FI (7)：

G03F 7/023 511 , C08K 5/16 , C08L 61/14 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 511 , C08G 8/28 B , H01L 21/30 502 R

F-Term (45)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA10 , 2H025AB17 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE02 , 2H025BJ00 , 2H025BJ05 , 2H025CB29 , 2H025CB56 , 2H025FA29 , 2H025FA30 , 2H025FA31 , 2H025FA33 , 2H096AA27 , 2H096AA30 , 2H096BA10 , 2H096EA02 , 2H096HA01 , 2H096HA03 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 4J002CC071 , 4J002EB106 , 4J002EN136 , 4J002EU186 , 4J002EV256 , 4J002EV296 , 4J002EW176 , 4J002FD206 , 4J033CA02 , 4J033CA12 , 4J033CA29 , 4J033CA44 , 4J033CA46 , 4J033CB18 , 4J033CD04 , 4J033HA02 , 4J033HA08 , 4J033HA28 , 4J033HB10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-107164
ポジ型感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-184926 Applicant：三菱化学株式会社
ドライ現像用感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-182936 Applicant：日本合成ゴム株式会社

Show all

Return to Previous Page