レーザーアブレーションによる複合酸化物ナノ微結晶薄膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002066289
Publication number (International publication number)：2003268536
Application date： Mar. 12, 2002
Publication date： Sep. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板を格別に加熱することなく、ペロブスカイト型構造を有する酸化物薄膜のナノメートルオーダーの微結晶を基板表面上に形成する方法の提供。【解決手段】目的生成物であるABO3の化学組成で示されるペロブスカイト型構造を有する酸化物(A:希土類元素やアルカリ土類金属元素、B:遷移金属元素)と同じ組成比からなるターゲットに、アルゴンガスを存在下させ、50Paから200Paの圧力条件下に、レーザーアブレーション法によりレーザー光を照射して、ターゲット表面に対して垂直であり、off-axisの配置をとる基板上に、原料物質と同じ組成比からなるペロブスカイト型構造を有する酸化物の微結晶薄膜を製造することを特徴とするペロブスカイト型構造を有する酸化物からなる微結晶薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

目的生成物であるABO3の化学組成で示されるペロブスカイト型構造を有する酸化物(A:希土類元素やアルカリ土類金属元素、B:遷移金属元素)と同じ組成比からなるターゲットに、アルゴンガスを存在下させ、50Paから200Paの圧力条件下に、レーザーアブレーション法によりレーザー光を照射して、ターゲット表面に対して垂直であり、off-axisの配置をとる基板上に、原料物質と同じ組成比からなるペロブスカイト型構造を有する酸化物の微結晶薄膜を製造することを特徴とするペロブスカイト型構造を有する酸化物からなる微結晶薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 14/28 , C23C 14/08

FI (2)：

C23C 14/28 , C23C 14/08 K

F-Term (6)：

4K029BA02 , 4K029BA09 , 4K029BA17 , 4K029BA48 , 4K029BA50 , 4K029BB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜形成方法並びにそれにより得られた機能性材料及び応用デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-247205 Applicant：松下技研株式会社
レーザ蒸着法による薄膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-260846 Applicant：住友電気工業株式会社
強誘電体材料の製法および半導体記憶装置とその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-256017 Applicant：ローム株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Off-axis laser deposition of YBa2Cu3O7-d thin films
Cobalt doping in BaTiO3 thin films by two-target pulsed KrF laser ablation with in situ laser anneal
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