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J-GLOBAL ID：200903091203388331

強誘電体材料の製法および半導体記憶装置とその製法

Inventor：
藤村 紀文

About 藤村 紀文

, 
神澤 公

About 神澤 公


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996256017
Publication number (International publication number)：1998101431
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ReMnO3 の基本構造で、結晶性に優れ、半導体メモリなどに用いた場合に高特性の強誘電性を有する膜を半導体基板などに成膜することができる強誘電体材料の具体的な成膜法およびその製法により得られる強誘電体膜を用いた半導体記憶装置およびその製法を提供する。【解決手段】 ターゲット7と基板4とを対向させて容器内に配設し、レーザアブレーションまたはスパッタリングにより前記基板に強誘電体膜を成膜する方法であって、前記ターゲットとしてRe(ReはYを含むランタノイド系元素)とMnとの合金からなる非酸化物ターゲットを用い、前記容器内の酸素分圧をレーザアブレーションの場合は10-2Torr以下、スパッタリングの場合は10-4以下とし、前記基板の成膜面に酸化源を吹き付けながら、基本構造がReMnO3 の強誘電体材料を前記基板表面に成膜する。
Claim (excerpt)：
ターゲットと基板とを対向させて容器内に配設し、レーザアブレーションにより前記基板に強誘電体膜を成膜する方法であって、前記ターゲットとしてRe(ReはYを含むランタノイド系元素)とMnとの合金からなる非酸化物ターゲットを用い、前記容器内の酸素分圧を10-2Torr以下とし、前記基板の成膜面に酸化源を吹き付けながら前記ターゲットにレーザを照射することにより、基本構造がReMnO3 の強誘電体材料を前記基板表面に成膜することを特徴とする強誘電体材料の製法。
IPC (13)：
C04B 35/50 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/28 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 309 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (9)：
C04B 35/50 ,  C23C 14/28 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 309 ,  H01L 27/10 451 ,  C04B 35/00 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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