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J-GLOBAL ID：200903053171042811

ウエーハ欠陥検査装置

Inventor：
中村 学

About 中村 学


Applicant, Patent owner：
日本エレクトロセンサリデバイス株式会社

About 日本エレクトロセンサリデバイス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007060869
Publication number (International publication number)：2008198966
Application date： Feb. 08, 2007
Publication date： Aug. 28, 2008
Summary：
【課題】 シリコンウエーハの表面及び内部の欠陥を透過光により検査する際に撮像手段としてエリアセンサカメラを用いると、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、均一な撮像条件でかつ高速に撮像することができない。また、電気抵抗率が低いシリコンウエーハでは、赤外光照明の光がほとんど透過せず透過検査が困難である。【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現し、照明手段をウエーハの電気抵抗率に対応して照度を変更可能に構成することにより、低抵抗ウエーハに対しても透過検査を可能にしている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、シリコンウエーハに対して赤外光照明手段とは反対側に設けた撮像手段と、前記撮像手段の画像からシリコンウエーハの表面及び内部の欠陥を検出する画像処理装置とから構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、前記撮像手段は前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備えることを特徴とするウエーハ欠陥検査装置。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/88
FI (2)：
H01L21/66 J ,  G01N21/88 Z
F-Term (16)：
2G051AA51 ,  2G051AB06 ,  2G051AB07 ,  2G051BA06 ,  2G051CA03 ,  2G051CA07 ,  2G051CB02 ,  2G051CC20 ,  2G051ED08 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA45 ,  4M106CA46 ,  4M106DB04 ,  4M106DB07 ,  4M106DB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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