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J-GLOBAL ID:200903053195000990

共振器の構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999154477
Publication number (International publication number):2000030594
Application date: Jun. 02, 1999
Publication date: Jan. 28, 2000
Summary:
【要約】【目的】 本発明は無線通信装置の共振器構造に関する。【構成】 本発明に従って、少なくとも1つの共振器構造と少なくとも1つのスイッチ構造とが同じプロセス中に同じ基板上に作成される。このことは、ブリッジ型BAW共振器及びミクロ機械スイッチを使うときには、ブリッジ構造を作るために使われる同じプロセス・ステップでミクロ機械スイッチ構造を作ることができるので、特に有利である。スイッチ構造と共振器とを同じ基板に集積すれば、マルチシステム移動通信手段に必要な非常にコンパクトなフィルター及び共振器構造を製造することが可能となる。本発明の他の面に従って、BAW共振器の特別の性質が利用される、即ち、例えばケイ素(Si)及びガリウム砒素(GaAs)表面など、能動回路に通例用いられている基板にBAW共振器を集積することができる。本発明のこの特徴に従って、スイッチは、例えばMESFETトランジスタを使用するトランジスタ構造と共に実現される。
Claim (excerpt):
基板上に少なくとも1つの共振器を有する共振器構造であって、その共振器は該基板上の複数の層の少なくとも被着及びパターニングによって作成されるものであり、該構造は、該基板上の複数の層の少なくとも被着及びパターニングによって作成された少なくとも1つのスイッチ・エレメントを有することを特徴とする共振器構造。
IPC (4):
H01H 59/00 ,  B62D 57/00 ,  H01P 1/15 ,  H03H 9/17
FI (4):
H01H 59/00 ,  H01P 1/15 ,  H03H 9/17 F ,  B62D 57/00 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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