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J-GLOBAL ID：200903053217894079

半導体装置のキャパシタの製造方法

Inventor：
木城 耕一

About 木城 耕一


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997048791
Publication number (International publication number)：1998247723
Application date： Mar. 04, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】 金属電極上に成膜したTa2 O5 のアニール法を改善することにより、Ta2 O5 を結晶化させるとともに、リーク電流を小さく抑えることができる半導体装置のキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 金属電極上に高誘電体Ta2 O5 膜を形成し、結晶化させて大きな比誘電率をもつキャパシタ誘電体膜を有する半導体装置のキャパシタの製造方法において、Ta2 O5 の結晶化温度より低い温度で熱処理し、Ta2 O5膜15中の酸素欠損の補償と不純物の除去を行う工程と、次に、高温熱処理で前記Ta2 O5 を結晶化することにより、金属電極14上で結晶化したTa2 O5膜15のリーク電流を低減する工程とを施す。
Claim (excerpt)：
金属電極上に高誘電体Ta2 O5 膜を形成し、結晶化させて大きな比誘電率をもつキャパシタ誘電体膜を有する半導体装置のキャパシタの製造方法において、(a)Ta2 O5 の結晶化温度より低い温度で熱処理し、Ta2 O5 膜中の酸素欠損の補償と不純物の除去を行う工程と、(b)次に、高温熱処理で前記Ta2 O5 を結晶化することにより、金属電極上で結晶化したTa2 O5 膜のリーク電流を低減する工程とを施すことを特徴とする半導体装置のキャパシタの製造方法。
IPC (5)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (4)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • キャパシタの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-316264   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
  • 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035838   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
  • 特開平2-283022
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