プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：保立浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997272102
Publication number (International publication number)：1999149997
Application date： Sep. 18, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】プラズマ形成の電力効率が良好で高い均一性のプラズマによる処理が可能であり、且つ基板の汚損の少ない良質な処理を行う。【解決手段】内部に基板9が配置される処理チャンバー1の側壁部分を構成するように設けられた側壁電極81には、20MHz以上のような電子のトラップ効果によってプラズマ均一性の圧力依存性が解消する程度の周波数の高周波電力が供給され、基板9に平行な面内での均一性が圧力上昇によらず7%以下に抑えるられるプラズマが形成される。側壁電極81の内側面は基板9の表面を汚損しない材料のシールド83で覆われ、側壁電極81の内側に処理チャンバー1の中心軸に向けて膨らんだ磁力線85を設定する磁石84が設けられている。

Claim (excerpt)：

内部に処理対象物としての基板が配置される処理チャンバーと、処理チャンバー内を排気する排気系と、処理チャンバー内に所定のガスを導入するガス導入系と、処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ源とを備えたプラズマ処理装置であって、プラズマ源は、処理チャンバーの側壁部分を構成するようにして設けられた側壁電極と、側壁電極に高周波電力を供給する高周波電源とを有し、高周波電源は、電子のトラップ効果によってプラズマ均一性の圧力依存性が解消する程度の周波数の高周波電力を側壁電極に供給するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (3)：

H05H 1/46 M , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-354023 Applicant：佐藤徳芳, 日電アネルバ株式会社
ドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135880 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
プラズマ処理装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-344404 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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