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J-GLOBAL ID：200903053279575425

磁気抵抗膜

Inventor： 小林 伸聖 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998299027
Publication number (International publication number)：2000091123
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、室温においてMR比の値が5%以上の大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗膜を提供することを目的とする。【解決手段】 これら一般式(CO1-aFea)100-x-y-zLxMyOzで表わされ、LはPd,Ptのうちから、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素と少量の不純物からなるグラニュラー膜で、室温において5%以上の磁気抵抗効果を有する磁気抵抗膜。

Claim (excerpt)：

一般式(Co<SB>1-a</SB>Fe<SB>a</SB>)<SB>100x-y-z</SB>L<SB>x</SB>M<SB>y</SB>O<SB>z</SB>で表わされ、LはPd,Ptのうちから、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり、かつ組成比a,x,y,zは原子比率で、0≦a≦10<x≦5010≦y≦4020≦z≦5030≦y+z≦70である組成からなり、室温で5%以上の磁気抵抗効果を示し、高電気抵抗を有する磁気抵抗膜。

IPC (3)：

H01F 10/16 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01F 10/16 ,  G11B 5/127 K ,  G11B 5/39

F-Term (9)：

5D034BA03 ,  5D093AB03 ,  5D093JA06 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-281232   Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
• 磁性薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-224438   Applicant：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
• 高周波特性に優れた軟磁性薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-006722   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330010   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061225   Applicant：株式会社東芝