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J-GLOBAL ID：200903053531530499
窒化ガリウムの結晶成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006210506
Publication number (International publication number)：2008037665
Application date： Aug. 02, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：
【課題】 下地基板の上にドットマスクやストライプマスクを付けて窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長させる際に、露呈部で成長が始まりマスクの上の成長が始まらないので、マスク端から立ち上がるファセットができる。マスクの上は結晶欠陥集合領域Hができるが、これはc軸方位が反転した単結晶である反転領域Jであることが望ましい。マスク上に必ず反転領域Jを生成するようにすること。【解決手段】 反転領域Jができるためにはファセットに方位の反転した極性反転結晶が発生することが必要である。成長温度や成長速度を適切な範囲とすることで、ファセットを埋め込まないようにして気相法で窒化ガリウムを成長させる。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
窒化ガリウムのエピタキシャル成長において、下地基板の上に下地基板を部分的に覆うようにエピタキシャル成長を妨げるマスクを形成し、マスクに覆われた狭い被覆部とマスクに覆われない広い露呈部を設け、その上から気相法によって窒化ガリウムを900°C〜990°Cの第1成長条件においてエピタキシャル成長させ、露呈部の上には成長が起こり被覆部では成長が起こらないことによってマスク端を下端部とするファセットを露呈部に発生させ、ファセットを維持しながら結晶成長させ、マスクを隔てて対向するファセットの途中に周囲の結晶とc軸の方位が反対である極性反転結晶を発生させ、露呈部上にはファセットで覆われた低欠陥単結晶領域Zを形成し、両側から伸びる極性反転結晶を合体させ、合体した極性反転結晶Qの上にさらに結晶成長させて、マスクの上には周囲の結晶とc軸の方位が逆転した反転領域Jである結晶欠陥集合領域Hを生成するようにしたことを特徴とする窒化ガリウムの結晶成長方法。
IPC (3)：
C30B 29/38
, H01L 21/205
, C30B 23/04
C30B29/38 D
, H01L21/205
, C30B23/04
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077EE07
, 4G077HA02
, 4G077SC10
, 5F045AA02
, 5F045AB14
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045DB01
Cited by applicant (5)
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