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J-GLOBAL ID:200903053570074492
半導体温度センサーとその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
林 敬之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996235583
Publication number (International publication number):1998122976
Application date: Sep. 05, 1996
Publication date: May. 15, 1998
Summary:
【要約】【課題】 消費電流と検出電圧のばらつきが小さく、耐ノイズ性と検出電圧の線形性が良好な半導体温度センサーを提供する。【解決手段】 複数個のバイポーラトランジスタがダーリントン接続し、それぞれのバイポーラトランジスタのエミッタに別々の電流源が接続されている半導体温度センサー。
Claim (excerpt):
複数個のバイポーラトランジスタがダーリントン接続して成る半導体温度センサーにおいて、前記バイポーラトランジスタのそれぞれの第一の主電極が電流源に接続されていることを特徴とする半導体温度センサー。
IPC (3):
G01K 7/01
, H01L 21/8222
, H01L 27/082
FI (3):
G01K 7/00 391 C
, G01K 7/00 391 M
, H01L 27/08 101 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開昭61-233330
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特開平4-315932
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半導体温度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-044922
Applicant:セイコー電子工業株式会社
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特開昭62-219555
-
特開平3-137528
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特開昭59-193045
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電力用半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-067150
Applicant:富士電機株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-127498
Applicant:セイコー電子工業株式会社
-
特開平3-133141
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