半導体構造

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001559047
Publication number (International publication number)：2003523080
Application date： Feb. 08, 2001
Publication date： Jul. 29, 2003
Summary：

【要約】最初にシリコンウェハ(22)上で調整緩衝層(24)を成長させることによって、化合物半導体材料の高品質エピタキシャル層を、大きいシリコンウェハを覆うように成長させることができる。調整緩衝層は、酸化ケイ素の非晶質境界層(28)によってシリコンウェハから空間的に分離された単結晶酸化物の層である。非晶質境界層は応力を消散させ、それによって高品質単結晶酸化物調整緩衝層が成長することができる。調整緩衝層は、下層のシリコンウェハおよび上層の単結晶化合物半導体層(26)の両方に格子整合している。調整緩衝層と下層のシリコン基板との間の格子不整合は、非晶質境界層で対応している。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板と、該単結晶シリコン基板を覆う非晶質酸化物材料と、該非晶質酸化物材料を覆う単結晶ペロブスカイト酸化物材料と、該単結晶ペロブスカイト酸化物材料を覆う単結晶化合物半導体材料と、からなる半導体構造。

IPC (10)：

H01L 21/20 , H01L 21/06 , H01L 21/8222 , H01L 21/8232 , H01L 21/8234 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 27/095 , H01L 27/15 , H01L 29/267

FI (10)：

H01L 21/20 , H01L 27/15 A , H01L 27/15 B , H01L 27/15 C , H01L 29/267 , H01L 29/80 E , H01L 27/06 F , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 321 A , H01L 27/06 102 A

F-Term (60)：

5F048AA01 , 5F048AC05 , 5F048AC10 , 5F048BA03 , 5F048BB05 , 5F048BF11 , 5F048CA02 , 5F048CA03 , 5F048CA07 , 5F048CB01 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F052JA05 , 5F052JA06 , 5F052JA07 , 5F052JA08 , 5F052JA10 , 5F052JB03 , 5F052KA01 , 5F052KA02 , 5F052KA05 , 5F082AA08 , 5F082AA40 , 5F082BA06 , 5F082BA10 , 5F082BA47 , 5F082BA48 , 5F082BA50 , 5F082BC01 , 5F082BC08 , 5F082BC09 , 5F082BC13 , 5F082BC20 , 5F082CA01 , 5F082CA02 , 5F082CA03 , 5F082CA08 , 5F082EA22 , 5F082EA32 , 5F082FA05 , 5F102GA05 , 5F102GA12 , 5F102GA14 , 5F102GA16 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK02 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GR01 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭63-198365
特開昭63-198365
結晶学的配向シリコン成長用テンプレート層としてのビスマス・チタン酸塩
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-079076 Applicant：チャールズエス.グエンザー

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