面発光型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998284790
Publication number (International publication number)：2000101185
Application date： Sep. 21, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】レーザ光の放射角を小さく設定でき、更に、半導体の性能を劣化させる物質に対して耐性のある面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】面発光型半導体レーザ100は、半導体基板上に有する垂直方向の共振器より半導体基板に垂直方向にレーザ光を出射し、半導体堆積体120表面に、樹脂層52を設け、該表面部にレンズ形状部54を形成し、この半導体レーザは半導体基板上、共振器を含む半導体堆積体形成し、レンズ形状部54の反転形状部を有するスタンパを、反転形状部が半導体堆積体の共振器上に位置合わせし、半導体堆積体とスタンパ間に樹脂の液状物を介在させ、樹脂の液状物を硬化させて樹脂層を形成し、レンズ形状部を形成して製造される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、該共振器より該半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、前記共振器を含む半導体堆積体の表面に、樹脂層が設けられ、前記共振器の上に位置する前記樹脂層の表面部にレンズ形状部が形成されている面発光型半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 5/183 , G11B 7/125 , G11B 7/135

FI (3)：

H01S 3/18 652 , G11B 7/125 A , G11B 7/135 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ光源および光学式エンコーダ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-228175 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
面発光型半導体装置及びそれを用いた発光モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-043165 Applicant：住友電気工業株式会社
光半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-256251 Applicant：株式会社東芝

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