Pat
J-GLOBAL ID：200903053964687600
スルーホールの作製方法、スルーホールを有するシリコン基板、該基板を用いたデバイス、インクジェットヘッドの製造方法およびインクジェットヘッド
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997308619
Publication number (International publication number)：1998181032
Application date： Nov. 11, 1997
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 スルーホールの開口径バラツキを防ぐ。【解決手段】 シリコン基板にスルーホールを作製する方法であって、(a)該基板表面のスルーホール形成部位に前記基板材料に対して選択的にエッチングが可能な犠牲層を形成する工程と、(b)前記基板上に該犠牲層を被覆するように耐エッチング性を有するパッシベイション層を形成する工程と、(c)前記犠牲層に対応した開口部を有するエッチングマスク層を前記基板裏面に形成する工程と、(d)該開口部より前記犠牲層が露出するまで基板を結晶軸異方性エッチングにてエッチングする工程と、(e)前記基板エッチング工程により露出した部分より前記犠牲層をエッチングし除去する工程と、(f)前記パッシベイション層の一部を除去しスルーホールを形成する工程と、を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
シリコン基板にスルーホールを作製する方法であって、(a)該基板表面のスルーホール形成部位に前記基板材料に対して選択的にエッチングが可能な犠牲層を形成する工程と、(b)前記基板上に該犠牲層を被覆するように耐エッチング性を有するパッシベイション層を形成する工程(c)前記犠牲層に対応した開口部を有するエッチングマスク層を前記基板裏面に形成する工程と、(d)該開口部より前記犠牲層が露出するまで基板を結晶軸異方性エッチングにてエッチングする工程と、(e)前記基板エッチング工程により露出した部分より前記犠牲層をエッチングし除去する工程と、(f)前記パッシベイション層の一部を除去しスルーホールを形成する工程と、を有することを特徴とするスルーホールの作製方法。
IPC (6)：
B41J 2/16
, B41J 2/05
, G01B 21/30
, G01N 37/00
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
B41J 3/04 103 H
, G01B 21/30 Z
, G01N 37/00 G
, H01L 21/28 V
, B41J 3/04 103 B
, H01L 21/302 J
Cited by examiner (9)
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特開平1-309384
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インクジェットヘッドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-278271
Applicant：シャープ株式会社
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半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-025677
Applicant：松下電工株式会社
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