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J-GLOBAL ID：200903054067711716

溶解性の高いアセン化合物およびそれを用いた電子素子

Inventor： 北村 千寿 ,  小松 利喜
Applicant, Patent owner： チッソ株式会社 ,  兵庫県
Agent (5)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  八本 佳子 ,  北山 浩司 ,  渕田 滋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007060984
Publication number (International publication number)：2008222607
Application date： Mar. 09, 2007
Publication date： Sep. 25, 2008
Summary：

【課題】キャリア移動度が高く、有機溶媒に対する溶解性に優れるペンタセン化合物、該ペンタセン化合物で構成された有機半導体薄膜、ならびに該有機半導体薄膜を有する有機半導体素子およびトランジスタを提供すること。【解決手段】本発明のアセン化合物は下記化合物(1)で示されることを特徴とする。(式(1)中、R1はHまたは炭素数1〜6のアルキルであり、R2はHまたは-OC3H7であり、R3はHまたは炭素数1〜6のアルキルである。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

式(1)で示されるアセン化合物;

IPC (7)：

C07C 15/20 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/50 ,  C07C 43/20

FI (10)：

C07C15/20 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D ,  C07C43/20 D

F-Term (26)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD78 ,  3K107GG06 ,  4H006AB91 ,  4H006GP03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HM02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ポリアセン化合物及びその合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-029701   Applicant：旭化成株式会社

Cited by examiner (3)

• 有機半導体薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-324201   Applicant：旭化成株式会社
• 有機EL素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-142507   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• ポリアセン化合物及びその合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-029701   Applicant：旭化成株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• J. Phys. Chem. B, 2004, Vol.108, p.5492-5499