Pat
J-GLOBAL ID：200903054123776451
半導体発光素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118718
Publication number (International publication number)：1996316577
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体発光素子の製造方法において、生産性に大きな影響をあたえる発光部の成長工程での不良を早期に発見し、素子の良品歩留まりを向上する。【構成】 n型GaAs基板(ウエハ)1上に、エピタキシャル成長により、バッファ層20を形成した後、続いて、n型下クラッド層21、活性層22、p型上クラッド層23等を順次結晶成長する工程と、その後、該基板1上に形成された活性層22をウエハ状態で光励起し、該活性層22からの発光光の減衰時間である蛍光寿命の測定により、該エピタキシャル成長を行った基板の良品選別を行う工程と、その後、該良品と判定された基板に対して、素子構造の形成処理を行う工程とを含んでいる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にエピタキシャル成長により、活性層を含む発光部を形成する工程と、該半導体基板上に形成された活性層をウエハ状態で光励起し、該活性層からの発光光の減衰時間である蛍光寿命の測定により、該エピタキシャル成長を行った基板の良品選別を行う工程と、その後、該良品と判定された基板に対して、素子構造の形成処理を行う工程とを含む半導体発光素子の製造方法。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, H01L 21/66
H01S 3/18
, H01L 33/00 A
, H01L 21/66 X
