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J-GLOBAL ID:200903054165927328

エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997306847
Publication number (International publication number):1999140277
Application date: Nov. 10, 1997
Publication date: May. 25, 1999
Summary:
【要約】【課題】 ハロゲン系、三酸化アンチモン等の難燃剤を含まない難燃性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 (A)分子中にビフェニル誘導体および/またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂を総フェノール樹脂量中に30〜100重量部含むフェノール樹脂、(B)分子中にビフェニル誘導体および/またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に30〜100重量部含むエポキシ樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤を必須成分することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Claim (excerpt):
(A)分子中にビフェニル誘導体および/またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂を総フェノール樹脂量中に30〜100重量部含むフェノール樹脂、(B)分子中にビフェニル誘導体および/またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に30〜100重量部含むエポキシ樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤を必須成分することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (6):
C08L 63/00 ,  C08G 59/24 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (6):
C08L 63/00 B ,  C08L 63/00 C ,  C08G 59/24 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/30 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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