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J-GLOBAL ID：200903054180857530

半導体レーザ素子および製造方法

Inventor：
堀川 英明

About 堀川 英明


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000066920
Publication number (International publication number)：2001257421
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：
【要約】【課題】 製造が容易で、発光効率の良い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 Alを含む半導体結晶の上に結晶成長をさせていたが、Alを含まない材料を用いて半導体レーザ素子を形成する。このことにより、Alの酸化物による結晶欠陥を発生させることがなくなる。利得領域とDBR領域でInGaAs量子井戸活性層のInGaAsの組成を変えることによって、利得領域で発光した光が、DBR領域のInGaAs量子井戸活性層での吸収損失を抑制する。よって発光効率の良い半導体レーザ素子となる。また、活性層を持たない窓領域を形成することによって、通常の低反射膜を用いても容易に1%以下の反射率を実現する。
Claim (excerpt)：
同一のn-GaAs基板上に互いに隣接する利得領域とDBR領域と、該DBR領域の光出射方向の端面に窓領域を形成する半導体レーザ製造方法において、前記n-GaAs基板上にn-AlGaAsクラッド層と、GaAs光閉じ込め層とを順次積層する工程と、前記GaAs光閉じ込め層上に選択成長マスクを形成する工程と、前記GaAs光閉じ込め層上の前記選択成長マスク以外の部分へ下部GaAs光閉じ込め層と、InGaAs量子井戸活性層、上部光閉じ込め層を順次積層する工程と、前記上部光閉じ込め層の前記DBR領域に回折格子を形成する工程と、前記利得領域、前記DBR領域および前記窓領域にp-AlGaAsクラッド層と、更にp-GaAsコンタクト層を順次積層する工程と、前記窓領域の端面に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/125 ,  H01S 5/227
FI (2)：
H01S 5/125 ,  H01S 5/227
F-Term (12)：
5F073AA08 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AA83 ,  5F073AA88 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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