半導体光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：齋藤義雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994164732
Publication number (International publication number)：1995074431
Application date： Jun. 23, 1994
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】低閾値電流、高発光効率、高出力化、光出力の安定性、高速変調性、高利得、酸化による影響の防止、高品質、製作易度など、これらの優れた特徴を有する半導体光素子を提供する。【構成】活性層15の上下にある光閉じ込め層13、17、クラッド層12、18によりSCH構造が構成されており、両光閉じ込め層13、17の一部に多重量子障壁構造(MQB)14、16が含まれている。活性層15が多重量子井戸型からなる場合は、その活性層15の障壁層15aにも多重量子障壁構造(MQB)が含まれている。【効果】光閉じ込め係数を大きくしたまま活性層15(井戸層15b)に対する障壁層15aおよび光閉じ込め層13、17の障壁高さを大きくすることができる。かかる素子機能に基づき、活性層15(井戸層15b)から光閉じ込め層13、17へのキャリアオーバフロー、さらには、クラッド層へのキャリアオーバフローを抑制して、レーザ発振時の低閾値電流化、光出力増大、高速応答性を期すことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、活性層と、一対の光閉じ込め層と、一対のクラッド層とを備え、活性層が下部光閉じ込め層と上部光閉じ込め層との間に挟まれているとともに、下部光閉じ込め層の下に下部クラッド層、上部光閉じ込め層の上に上部クラッド層がそれぞれ配置されてSCH構造を構成している半導体光素子において、少なくとも一方の光閉じ込め層に多重量子障壁(MQB)構造が含まれていることを特徴とする半導体光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-003696 Applicant：富士通株式会社
量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116782 Applicant：三菱電機株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067128 Applicant：松下電器産業株式会社

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