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J-GLOBAL ID:200903054250253557

半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001340528
Publication number (International publication number):2003138102
Application date: Nov. 06, 2001
Publication date: May. 14, 2003
Summary:
【要約】【解決手段】 (A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機質充填剤(D)モリブデン酸亜鉛を無機質充填剤に担持したモリブデン化合物(E)下記平均組成式(1)で示されるホスファゼン化合物【化1】を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的に含まない半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。【効果】 本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、成形性に優れるとともに、難燃性及び耐湿信頼性に優れた硬化物を得ることができる。
Claim (excerpt):
(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機質充填剤(D)モリブデン酸亜鉛を無機質充填剤に担持したモリブデン化合物(E)下記平均組成式(1)で示されるホスファゼン化合物【化1】[式中、Xは単結合、又はCH<SB>2</SB>、C(CH<SB>3</SB>)<SB>2</SB>、SO<SB>2</SB>、S、O、及びO(CO)Oから選ばれる基であり、YはOH、SH又はNH<SB>2</SB>であり、R<SP>1</SP>は炭素数1〜4のアルキル基及びアルコキシ基、NH<SB>2</SB>、NR<SP>2</SP>R<SP>3</SP>並びにSR<SP>2</SP>から選ばれる基であり、R<SP>2</SP>,R<SP>3</SP>は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。d,e,f,nは0≦d≦0.25n、0≦e<2n、0≦f≦2n、2d+e+f=2n、3≦n≦1000を満たす数である。]を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的に含まないことを特徴とする半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。
IPC (6):
C08L 63/00 ,  C08G 59/40 ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/5399 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5):
C08L 63/00 C ,  C08G 59/40 ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/5399 ,  H01L 23/30 R
F-Term (41):
4J002CD001 ,  4J002CD011 ,  4J002CD021 ,  4J002CD031 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD071 ,  4J002DE187 ,  4J002EW156 ,  4J002FD01 ,  4J002FD09 ,  4J002FD13 ,  4J002FD136 ,  4J002FD14 ,  4J002FD15 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AA02 ,  4J036AD01 ,  4J036AE05 ,  4J036AF01 ,  4J036AF06 ,  4J036AF19 ,  4J036AG06 ,  4J036DC02 ,  4J036DC05 ,  4J036DC40 ,  4J036DD07 ,  4J036GA04 ,  4J036GA06 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB13 ,  4M109EB18 ,  4M109EC20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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