半導体材料をドープする方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000379598
Publication number (International publication number)：2001223174
Application date： Dec. 14, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体材料をレーザードープするための改善された方法およびシステムを提供する。【解決手段】窒化燐がドーパントソースとして用いられる。窒化燐は、ドープしようとする半導体の一定領域にごく接近して配置される。レーザー光のパルスが窒化燐を分解すると共に、ドープしようとする半導体の前記領域を簡単に融解するため、窒化燐からのドーパント原子を半導体中に取り込むことができる。

Claim (excerpt)：

大気中で安定であるドーパント含有化合物の層を半導体表面にごく接近して配置する操作と、ドーパント含有化合物の前記層からの原子を用いて前記半導体をドープするためにレーザーを当てる操作と、を含む半導体をドープする方法。

IPC (5)：

H01L 21/225 , H01L 21/205 , H01L 21/22 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/225 D , H01L 21/205 , H01L 21/22 E , H01L 29/78 616 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

化学元素の受容材料中への導入方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-132630 Applicant：ゼロックスコーポレイション
特開平3-159250
特公昭44-024379

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