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J-GLOBAL ID:200903054281858686
有機エレクトロルミネッセント素子
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
三浦 邦夫
, 平山 巌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003358402
Publication number (International publication number):2005123095
Application date: Oct. 17, 2003
Publication date: May. 12, 2005
Summary:
【課題】 陰極電極層や陽極電極層から有機化合物層へのホ-ル注入時におけるエネルギ-障壁を低下させることにより、素子の駆動電圧を低下させると共に、前記ホ-ル注入層の膜厚を調整して、駆動電圧を上昇させずに陰極電極層と陽極電極層間での電気的短絡の危険性を大幅に低減する。【解決手段】 陽極電極層と、陽極電極層と対向して配置された陰極電極層と、陽極電極層と陰極電極層との間に位置する、陽極電極層に接するホ-ル注入層及び少なくとも一層の発光層と、を有し、陽極電極層と陰極電極層の少なくとも一方は透明であり、ホ-ル注入層は金属酸化物と有機化合物との混合膜を含み、混合膜は共蒸着によって形成されている。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
陽極電極層と、前記陽極電極層と対向して配置された陰極電極層と、前記陽極電極層と前記陰極電極層との間に位置する、前記陽極電極層に接するホ-ル注入層と、少なくとも一層の発光層と、を有し、前記陽極電極層と前記陰極電極層の少なくとも一方は透明である有機エレクトロルミネッセント素子であって、前記ホ-ル注入層は金属酸化物と有機化合物との混合膜を含み、前記混合膜は共蒸着によって形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
IPC (3):
H05B33/22
, C09K11/06
, H05B33/14
FI (3):
H05B33/22 D
, C09K11/06 690
, H05B33/14 A
F-Term (6):
3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007DB03
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (11)
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有機エレクトロルミネッセント素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-049771
Applicant:城戸淳二, 株式会社アイメス
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米国特許第5,059,862号明細書
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米国特許第6,013,384号明細書
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有機エレクトロルミネッセント素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-357899
Applicant:城戸淳二, 株式会社アイメス
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有機エレクトロルミネッセント素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-034599
Applicant:城戸淳二, 株式会社アイメス
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有機エレクトロルミネッセント素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-075833
Applicant:城戸淳二, 株式会社アイメス
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有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-054176
Applicant:城戸淳二, 株式会社アイメス
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米国特許第4,356,429号明細書
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米国特許第4,539,507号明細書
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米国特許第4,885,211号明細書
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米国特許第4,720,432号明細書
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Cited by examiner (2)
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有機エレクトロルミネッセント素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-070135
Applicant:城戸淳二, 株式会社アイメス
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発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-399072
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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