珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003148656
Publication number (International publication number)：2004352743
Application date： May. 27, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性が向上する単位とを含む珪素含有高分子化合物。【化1】(式中、R1はH又はアルキル基、R2は単結合又は(-SiR10R11-R12-)bで表される2価の連結基であり、R3〜R9はHは又はアルキル基、R10、R11はアルキル基、R12は単結合、O又はアルキレン基、aは正数、bは1〜20の整数。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性が向上する単位とを含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。

IPC (4)：

C08F230/08 , G03F7/039 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (4)：

C08F230/08 , G03F7/039 601 , G03F7/075 511 , H01L21/30 502R

F-Term (43)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB33 , 2H025CB34 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AC02R , 4J100AC22R , 4J100AC26R , 4J100AK32P , 4J100AL34R , 4J100AL44R , 4J100AM07R , 4J100AP16P , 4J100AR31Q , 4J100AR32Q , 4J100AR36Q , 4J100BA02P , 4J100BA03Q , 4J100BA11Q , 4J100BA15Q , 4J100BA80P , 4J100BA81P , 4J100BB07Q , 4J100BC03Q , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

次世代リソグラフィー用の高分解能レジスト
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-572502 Applicant：ユニバーシティオブノースカロライナアットシャルロット, ユニバーシティオブコネチカット, ゴンサルベスケネスイー.
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-267429 Applicant：富士写真フイルム株式会社
珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-056536 Applicant：信越化学工業株式会社

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