ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001174015
Publication number (International publication number)：2002343793
Application date： Jun. 08, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】サーマルバジェットが低く、ステップカバレージに優れ、パターンローディング効果がなく、Si3N4のSi:N比が一定であり、優れた厚さ制御および均一度を実現でき、微細粒子の存在が最小であり、不純物の含量が少なく、薄膜成長速度が工業的に十分実施可能な、Si3N4薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】チャンバ内に基板を設置する段階(a)と、前記チャンバ内にSi2Cl6を含む第1反応物質を導入する段階(b)と、前記基板上に、前記第1反応物質の一部を化学吸着させ、かつ他の一部を物理吸着させる段階(c)と、前記チャンバから、段階(c)で化学吸着しなかった反応物質を除去する段階(d)と、前記チャンバ内にNH3を含む第2反応物質を導入する段階(e)と、前記基板上に、前記第2反応物質の一部と、化学吸着した前記第1反応物質とを化学的に反応させ、シリコンを含む固体物質を形成する段階(f)と、前記チャンバから、前記第2反応物質の未反応部分を除去する段階(g)とを含むことを特徴とする、シリコン含有固体薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

チャンバ内に基板を設置する段階(a)と、前記チャンバ内にSi2Cl6を含む第1反応物質を導入する段階(b)と、前記基板上に、前記第1反応物質の一部を化学吸着させ、かつ他の一部を物理吸着させる段階(c)と、前記チャンバから、段階(c)で化学吸着しなかった反応物質を除去する段階(d)と、前記チャンバ内にNH3を含む第2反応物質を導入する段階(e)と、前記基板上に、前記第2反応物質の一部と、化学吸着した前記第1反応物質とを化学的に反応させ、シリコンを含む固体物質を形成する段階(f)と、前記チャンバから、前記第2反応物質の未反応部分を除去する段階(g)とを含むことを特徴とする、シリコン含有固体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 , C23C 16/42

FI (2)：

H01L 21/318 B , C23C 16/42

F-Term (20)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA09 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-007885 Applicant：ソニー株式会社
特開昭62-050466
原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-034413 Applicant：三星電子株式会社

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Cited by examiner (1)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-007885 Applicant：ソニー株式会社

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