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J-GLOBAL ID：200903054446541470

SiC層中にボロンをドープされた領域を生成する方法

Inventor： ロットナー,クルト ,  シエナー,アドルフ
Applicant, Patent owner： エービービー リサーチ リミテッド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998516435
Publication number (International publication number)：2001501162
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】ボロン原子をドープされた少なくとも1つの領域を有するSiCの結晶層を生成する方法であり、該方法は、結晶性SiCの層1へボロンをイオン注入する段階a)およびSiC中に注入されたボロンを電気的に活性化させるため、SiC層を焼鈍のため加熱する段階b)を有する。更に、この方法は段階b)を実行する前にSiC中に存在する炭素の空孔に関して過剰に炭素の割込みを形成するため、前記層1に炭素原子を注入する段階c)を有する。

Claim (excerpt)：

ボロン原子をドープされた少なくとも1つの領域を有するSiCの結晶層を作る方法であって、結晶性SiCの層(1)中へボロンを注入する段階a)、およびSiC層中に注入されたボロンを電気的に活性化させるためにSiC層を焼鈍するための加熱をおこなう段階b)を有する方法に於いて、 段階b)を実行する前にSiC層中に存在する炭素の空孔に関して過剰に炭素割込みを形成するため、該層(1)に炭素原子を注入する段階c)を有し、該段階c)は、段階a)の前に実行される、あるいは段階a)の後に実行される、あるいは段階a)と同時に実行されることを特徴とする上記方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-016895
  
• 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-273445   Applicant：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
• 微結晶炭化珪素薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたピエゾ抵抗体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-038008   Applicant：松下電工株式会社, 松下電器産業株式会社
• 炭化シリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-520112   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Epitaxial growth and doping of and device development in monocrystalline β-SiC semiconductor thin f